（2303）營運報告書指出與英特爾合作開發的N12 FinFET製程技術平台進展順利，預計2026年完成製程開發並通過驗證，目前進度符合公司的預期；儘管成熟製程競爭激烈，但法人預估今年每股獲利（EPS）3.8元的目標不變。
法人機構表示，觀察聯電營運報告書，其與英特爾合作開發的N12 FinFET製程技術平台進展順利，預計2026年完成製程開發並通過驗證；並揭露封裝領域進展，晶圓級混合鍵合技術、3D IC異質整合等技術已成功開發，未來將全面支援邊緣及雲端AI應用。
聯電和英特爾去年1月共同宣佈，雙方將合作開發12nm FinFET製程平台，以因應行動、通訊基礎建設和網路等市場的快速成長，合作開發的12nm製程預計在2027年投入生產。由於合作的方式複雜且有簽訂保密協定，因此聯電無法具體透露太多。
聯電與英特爾聯合研發12nm製程，就不用投資大筆資金建新，買設備開始，且可增加美國據點，吸引新客戶，未來如果有客戶表示想從現有製程轉進12nm，聯電可以直接把訂單轉到美國亞利桑那州廠生產。聯電多元製造基地布局，台灣、新加坡、日本和中國大陸的生產基地為客戶提供彈性供應鏈選擇。
在先進封裝技術方面，聯電晶圓級混合鍵合技術已完成產品驗證，預計於2025年進入量產；並在邊緣AI相關應用，與供應鏈已建立W2W 3D IC專案，進入邏輯晶片與客製化記憶體的異質整合驗證；並成功在矽中介層加入深溝槽電容，為2.5D封裝晶片提供電源完整性，已完成產品驗證並進入試產。
聯電2024年研發支出156億元，除N12平台研發外，成功開發22nm影像訊號處理器、28nm嵌入式高壓低功耗製程平台及氮化鎵元件製程。此外，氮化鎵射頻開關元件製程進入量產，氮化鎵射頻功率放大器PA元件製程及氮化鎵650V功率元件製程皆已進入客戶產品驗證和試產階段。
由於關稅帶來半導體產業不確定性，聯電與客戶在多個廠區緊密合作進行技術和產品驗證，以降低特定地點的風險並確保供應鏈的韌性。長期而言，客戶可能會調整自有晶圓廠和外在晶圓廠的合作方式。各個產業庫存經過幾個季度調整後已回到正常，但車用需要更多時間。
雖成熟製程競爭激烈，但聯電價格策略會保持彈性，和客戶共同提升市佔率，聯電著重在高階智慧型手機顯示器、智慧型手機射頻前端模組及產品組合優化。預估聯電今年EPS維持3.8元。
標題：聯電雖面臨川普關稅威脅 法人估今年EPS 3.8元目標不變
聲明： 本文版權屬原作者。轉載內容僅供資訊傳遞，不涉及任何投資建議。如有侵權，請立即告知，我們將儘速處理。感謝您的理解。
